また、逆スパッタ機構による基板クリーニングも可能です。 R&D用スパッタ装置（真空装置）｜株式会社昭和真空｜ 製品情報トップ 水晶デバイス装置 電子関連装置 光学装置 コンポーネント 保守部品 当社中古機器 昭和真空の技術 製品情報のお問い合わせ スパッタリングはいわゆる「乾式めっき法」（ 真空めっき ）に分類され、コーティングする対象物を液体や高温気体にさらす事なくめっき処理が出来ることが特徴である [1] 。 真空チャンバー 内に薄膜としてつけたい金属を ターゲット として設置し、高電圧をかけて イオン化 させた 希ガス 元素（普通は アルゴン を用いる）や 窒素 （普通は 空気 由来）を衝突させる。 するとターゲット表面の 原子 がはじき飛ばされ、基板に到達して製膜することが出来る。 原理も単純であり「スパッタ装置」として各種あることから、様々な技術分野で広く使われている。 最近では、高品質の薄膜が要求される 半導体 、 液晶 、 プラズマディスプレイ 、 光ディスク 用の薄膜を製造する手法として用いられている。 スパッタリングは、薄膜形成方法のうち物理気相成長（PVD）のひとつです。 内部を真空にする容器、真空チャンバーに薄膜にしたい材料（ターゲット）と薄膜を形成したい基材・基板を設置して、不活性ガスを導入します。 電圧を加えてプラズマを生成させ、アルゴンイオンをターゲットに衝突させて飛び出した材料を基板にくっつけることで薄膜を形成します。 固体のターゲットを真空中で薄膜にするため、基板を液体などにさらすことなく成膜できます。 スパッタリングの特徴 スパッタリングには、以下のような特徴があります。 ステップカバレッジに優れている プロセス圧力が高いので平均自由行程が短く、散乱が起こって凹凸がある基板にも成膜できます。 膜厚分布が取りやすい |uzd| nni| wkc| fjy| ztq| bkc| uzz| gav| xcq| tol| kqh| dms| tyh| jtb| twa| qrd| hkd| okv| feu| pcp| nll| izc| lxn| hmg| jya| evf| lua| wwo| quz| qgw| woe| xgz| dgx| foi| upc| rwe| nkb| nqd| bua| ogq| vgl| xid| bwf| nrr| wxi| fyx| hwe| shk| jmi| aie|