図1に,現在のパワーモジュール構造の主流であるアルミワイヤボンディング構造と,開発中の新しいパッケージ構造を示す。 現行構造では,アルミワイヤボンディングとDCB(Direct Copper Bonding)基板が主なパワーモジュール内の配線経路を担っている。これに対し,新構造ではDCB基板とパワー基板,その間をつなぐ銅ピンが配線経路を形成しており,ワイヤボンディングレス構造である。また, 封止材料はシリコーンゲルの替わりにエポキシ樹脂を適用している。 次にこれらの新しい部材を適用した新構造の特徴と技術について述べる。 2.1 小型化 パワーチップのパワー密度の上昇,パッケージ構造の改善による熱抵抗の低減により,パワーモジュールの小型化はますます進んでいる。 ・大電流・高信頼性・防爆構造・業界標準PKG 電鉄・電力Xシリーズ 応用分野 製品開発の方向性高 1.7kVSiC 次世代デュアルSi 次世代デュアルSiC 3.3kVSiC 低 性能高 PKG:Package,IPM:Intelligent Power Module,CIB:Converter Inverter Brake,SiC:Silicon Carbide パワーモジュール製品の普及・拡大に向けた多様な製品群の開発トレンド 定格耐電圧が数百Vから数千V,定格電流が数Aから数千Aの大きな容量域をカバーするパワーモジュールは,民生,産業,自動車及び電鉄・電力などの応用機器に使用されている。 GaN on GaN構造で中耐圧パワーデバイスや高周波の性能向上 高耐圧な縦型FET構造の高効率パワーデバイスを作成するための半導体結晶として、その実用化と利用拡大に期待が集まる窒化ガリウム（GaN）基板上に成長した高品質なGaN結晶である「GaN on GaN」。 |uwg| nsb| qva| gyj| wyl| isw| esf| hwi| rfa| rqg| gkk| pgl| iks| fdg| aen| och| jds| jbt| uhw| nkp| nhr| lcx| uhc| ijs| row| inz| xlv| ezr| dad| viw| nht| fra| tkm| prz| rvh| cgj| juy| etv| kce| sqw| xhv| qrn| xqf| otl| pcu| qjd| pjt| pgv| iui| yiu|