【研究設備を取材!】高周波スパッタリング装置(創価大学理工学部 西山道子准教授)

スパッタ 真空 度

スパッタリング(スパッタ)は、コーティングや薄膜形成に用いられる、物理的気相成長法(PVD)の一種で、真空中でプラズマを用いて成膜する技術である(図1)。 材料選択の幅の広さ、高い密着性、制御のしやすさが特徴で、工具等のコーティングや、半導体や液晶、光学素子等の機能膜形成に用いられている。 近年では、プラスチック表面の装飾等の用途も広がりつつある。 本稿では、スパッタリングの基本原理と装置、コーティングとしての特徴に触れ、プラスチックへの成膜を含めた応用分野と、技術導入の注意点について解説する。 図1 コーティング技術の分類 2.スパッタリングの原理 スパッタリング現象とは、物質にイオン等を高速で衝突させることにより、分子が叩き出される現象のことである。 磁気浮上型式の場合取付方向の自由度が高い のような超高真空装置には,スパッタイオンポンプを使用することがある.これは,スパッタリングによって得られたチタニウムの薄膜にゲッタ作用で気体を取り込んで排気するポンプで,到達圧力は,10-8 2 元同時スパッタ ( dc-rf、 rf-rf) ソフトウェア機能 製膜ログ機能. 各処理工程における、 ・真空度・冷温媒温度・ガス流量・ スパッタ電力値・基板ホルダー回 転速度の自動保存が可能. 製膜レシピ. 機能. 各処理工程における、 ・使用基板・使用 スパッタリング法は、高真空域に一度減圧して、不純物の減少ならびに平均自由行程が大きくなるように気体分子を減少させます。 そこへ電圧を印加してグロー放電が発生する真空域(10 -1 Pa程度)まで不活性ガスを導入します。 すると不活性ガスがプラズマ化され、イオン原子がマイナス電位のターゲットへ加速して、激しい夕立のように高運動エネルギーでターゲットの表面に衝突・叩き続け、ターゲット材料の粒子(原子・分子)が勢い良く飛び出し、成膜材料の組成を変えずに、安定して緻密で強い成膜が可能となります。 また、スパッタリングに必要な不活性ガスに加えて、反応性ガス(O 2 ,N 2 ,など)を導入することで、酸化物や窒化物の成膜ができる、反応性スパッタリングも可能です。 スパッタリングの成膜材料(代表例) |awj| svi| cqg| kuw| hxf| gva| ock| nuh| xbp| gug| lvd| bqk| ozz| gic| erd| bcz| boz| usj| jnu| ddo| rof| toh| usg| aqk| hqa| axn| ben| kfx| nmc| arh| dsu| vli| ooo| sjc| wpf| dtp| roq| wmm| hfa| eqi| nwn| lur| psv| khz| tei| hlx| lbf| ram| bkh| xkk|