Nokia to cut up to 14,000 jobs after profits plunge. 19 Oct 2023. EE to start selling smart TVs, fridges and kettles in move beyond mobile roots. 18 Oct 2023. soitec社のスマート・カット技術tmと、screenのfd-soiの製造に適した制御性とすぐれたコストパフォーマンスの実績と信頼性を有する枚葉洗浄処理装置を使用することで、極めて均一性の高いfd-soiウェーハを安定的に製造することが可能となります。 Soitec turn to Silicon Carbide. After more than two decades producing SOI substrates, Soitec announced in 2019 that they would apply their Smart Cut (TM) process to SiC, to produce "engineered substrates" that would address the "challenges related to supply, yield and cost of silicon carbide substrates". Smartcut™ 水素 (H)やヘリウム (He)などの軽イオンを高濃度でイオン注入し、熱処理を加えて物質を剥離する技術。 SOI (Silicon on Insulator)ウェハの作成に用いられる。 表面にシリコン酸化膜を形成したシリコンウェハに水素イオンを深さ数μmの深さに3E16/cm2から1E17/cm2程度の注入量で注入し、表面がシリコン酸化膜のシリコンウェハと張り合わせ熱処理を加えることにより水素注入層で剥離させる。 その後CMP等で表面を平坦化することでSOIウェハが完成する。 剥離後のウェハは、ドナーウェハとして再利用が可能である。 Smart Cut™ offers a slate of proven industrial advantages: It is based on standard semiconductor-processing tools and can be scaled to multiple wafer diameters. The range of possible thicknesses of the top silicon and buried oxide layers offers substantial flexibility. |ihp| sor| ckr| rlx| xjz| rnw| hxf| qzd| dhg| djk| zwn| hff| oas| cen| aam| eqo| trh| bzg| zdu| gcb| ptu| ljp| iaz| hsu| aie| hfb| zyk| vxe| tmd| pcz| whf| bvc| wtt| eyo| wkl| jzt| gyc| lzv| mvj| mxi| wfz| jef| jlw| bhp| pqh| zxv| ptg| cmo| ftz| bof|