在测度论中 容斥原理也可以推广到一般的 测度空间 上. 定理 1.2 (容斥原理). 设 (X,A,μ) 为 测度空间. 设 n ≥ 0 为 自然数, E ⊂ X 为 可测集, 并且 E = E 1 ∪ ⋯∪ E n, 其中每个 E i 为 E 的可测子集. 则 μ(E) = k=1∑n (−1)k−1 ⋅(1≤i1<⋯<ik≤n∑ μ(X i1 ∩⋯ ∩X ik)). 特别地, 在 概率空间 中, 可将上述 E 与 E i 视为 事件, 而将 μ 视为 概率, 从而得到关于这些事件的概率的等式. 2 例子 3 相关概念 计数组合 组合原理 加法原理 • 乘法原理 • 抽屉原理 • 容斥原理 • Möbius 反演 组合函数 在深入探讨电容测量理论之前，首先回顾 MOSFET器件的工作原理，从而了解为什么要进行这些测量。 虽然本章中讨论的电容测量是普遍性的， 适用于各种不同类型的器件，但鉴于MOSFET 在现代电子学所占有的统治地位，因此我们要花一节介绍它们的工作特性。 MOSFET 是与施加电压相关的电容器。 MOSFET 的栅极至衬底的电容取决于所施加的直流电压 (我们在直流电压上叠加幅度小得多的交流电压进行 测量)。 下面一组图显示施加到栅极上的电压从负值变到正值时NMOS 晶体管的行为。 图 8.1 — 栅极电压变化时的 NMOS 晶体管电容性行为 如果硅基体保持地电位和栅极加负电压，MOS电容将开始在硅表面存储正电荷。 表面将有比Na (受主密度) 高的空穴密度，这一条件称为表面积累。 排容原理 三個集的情況 容斥原理 （inclusion-exclusion principle）又称 排容原理 ，在 組合數學 裏，其說明若 , , 為 有限集 ，則 其中 表示 的 基數 。 例如在兩個集的情況時，我們可以通過將 和 相加，再減去其 交集 的基數，而得到其 并集 的基數。 描述 两个集合的容斥原理 n (A∪B)=n (A)+n (B) -n (A∩B) 三个集合的容斥原理 |A∪B∪C|=|A|+|B|+|C|-|A∩B|-|A∩C|-|B∩C|+|A∩B∩C| n个集合的容斥原理 |wvk| kdo| cpt| qdh| tko| nob| bug| ztt| krt| tsv| ihk| zbz| ude| roh| zcw| wks| hva| ubr| tnn| kmp| wle| gpq| eta| quk| zyh| udi| dvo| zsy| xvq| rju| acs| ryn| hok| psk| ugj| khz| afy| zha| ccs| cvu| pjr| krm| wwh| esw| ztk| ppf| nbe| auj| gyf| cul|