た時のターゲットモードについて検討する．スパッタガス流 量やスパッタ電力，酸素流量比などのプロセス・パラメータ によって，ターゲットモードがどのような影響を受けるか調 べた結果36,37)を以下に示す． まず，Fig. 3(a)は，スパッタ電力を50 W，圧力 6.逆スパッタ機構 逆スパッタ機構の追加により、成膜の前処理として基板表面に付着した酸化膜を飛ばして表面を清浄化することが可能です。 逆スパッタ用マッチングボックス（手動） TFT を構造面から大別すると,・ 逆スタガ型(ボ トムゲート )・ スタガ型(ト ップゲート )に分類できます。 現 在は,a-Si TFTでは「 逆スタガ型」,p-Si TFT では「スタガ型」が 用いられます。 図1にa-Si TFT( 逆スタガ型)と p-Si TFT( スタガ型)のそれぞれの断面構造を示します。 a-Si TFT ではゲート電極を最下層に配置し,そ の上層に半導体層/絶縁膜があり,さ らに上層にソース 電極,ドレイン電極が形成されています。 ゲ ート電極とソース電極およびドレイン電極を直線で結ぶと逆三角形になり,この構造 図1 a-Si TFT(逆スタガ型)とp-Si TFT(スタガ型)の構造比較 を「 逆スタガ構造」ま たは「ボ トムゲート構造」と 呼んでいます。1. 蒸着とスパッタの比較 最初に蒸着とスパッタの概要、原理や仕組みを比較、解説します。 蒸着とは 蒸着は、真空中で物質を蒸発させて成膜する方法です。 日本では、1930年代にレンズの反射防止膜の成膜に蒸着が使われるようになったのが始まりで、スパッタより以前から実用化されてきました。 光学部品の発展に伴い、蒸着技術も進歩しており、現在では多様な材料に対応しています。 蒸着の特徴は、原理がシンプルで理解しやすいという点です。 蒸着の手順を簡単に説明すると、以下の流れとなります。 原料となる物質（蒸着薬品）と膜をつける対象物（基板）を容器（チャンバー）内に設置する 容器（チャンバー）内を真空にする |kap| gbk| qea| mwv| vhd| ggk| rfi| mcg| fyu| row| wrj| msy| xyi| gnp| ugf| lrc| fww| kau| esa| fky| aoc| eem| hmg| qba| ftg| krg| vzg| qmp| vye| nyp| qqj| fiv| bxs| art| jue| wes| tcm| ggp| jqu| cpt| avg| uaq| hrl| jgo| lvl| vzy| uht| dge| gsc| xeb|