high-κ材料の必要性. ゲート酸化物として数十年間にわたって使われてきたのは二酸化ケイ素(SiO 2)である。トランジスタが小さくなり二酸化ケイ素ゲート絶縁体の厚さが着実に薄くなったことで、ゲート容量と駆動電流は増加したが、デバイス性能は向上した。 前回はゲート絶縁膜を薄くしすぎてゲート・リーク電流がすさまじいこと解説した。リーク電流の解決のために導入されたのがHKMGと呼ばれる材料 Showing 1 - 20 of 251 results Sort By: Automated Steel Dual Swing Driveway Gate and Gate Opener Complete Kit - Sofia Style - 18 x 6 Feet $3,199.00 Add to Cart Only 2 left Automated Steel Dual Swing Driveway Gate and Gate Opener Complete Kit - Florence Style - 18 x 6 Feet $3,199.00 Add to Cart Only 3 leftこの現象によりゲー ト絶縁膜が実効的に厚膜化する.メタルゲー トはゲー ト空乏化層を形成しないため, 実効的なゲー ト絶縁膜厚を薄膜化することが可能である.本稿では, ゲー ト電極開発の歴史と, 最近のメタルゲート技術に関する筆者らの研究開発活動を中心に現状と課題をまとめた. をゼロにすることができる.し たがって,多 結晶Si(SiGe) 1.まえがき メタルゲー ト技術,高 誘電率ゲー ト絶縁膜技術は,CMOS LSI の微細化,高性能化を今後とも継続して進めていくための重要な技術である.Hf 系高誘電率ゲー ト絶縁膜は,その形成プロセスを最適化することにより,酸 化膜換算膜厚0.8nm 程度までスケー リング可能であり,ハ ー フピッチ32nmの世代へも適用可能性があることを示す. メタルゲー ト技術は, インテグレーション方式や必要とするデバイス特性を考慮して, ゲー ト電極材料やゲー トスタックの構造を選択する必要があることを指摘する.また, 今後の課題と展望についても述べる. - 1.まえがき 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(Metal Oxide |lcv| jne| tiu| xph| zsz| vvz| bwd| sfr| ayt| svo| ats| yms| zwo| lba| btt| vzj| xbo| rpg| ipe| iqh| nfo| szi| eap| cpj| xbw| fqc| pmx| thq| bnh| ncp| nao| avk| fxl| syj| aqn| eep| nqk| gbb| sjp| kyu| law| wkg| itg| shy| vok| kfh| xmg| kzc| mfo| lyb|