TFT を構造面から大別すると,・ 逆スタガ型(ボ トムゲート )・ スタガ型(ト ップゲート )に分類できます。 現 在は,a-Si TFTでは「 逆スタガ型」,p-Si TFT では「スタガ型」が 用いられます。 図1にa-Si TFT( 逆スタガ型)と p-Si TFT( スタガ型)のそれぞれの断面構造を示します。 a-Si TFT ではゲート電極を最下層に配置し,そ の上層に半導体層/絶縁膜があり,さ らに上層にソース 電極,ドレイン電極が形成されています。 ゲ ート電極とソース電極およびドレイン電極を直線で結ぶと逆三角形になり,この構造 図1 a-Si TFT(逆スタガ型)とp-Si TFT(スタガ型)の構造比較 を「 逆スタガ構造」ま たは「ボ トムゲート構造」と 呼んでいます。バイアス/逆スパッタ. バイアス/逆スパッタは、基板にrfまたはdc電力を印加することで自然酸化膜や水分、カーボンの除去 スパッタ装置は、真空薄膜形成のカテゴリの中では物理蒸着法（PVD）に分類されるスパッタリング法を用いた成膜装置です。 スパッタ装置により生成される薄膜は、基板への優れた密着性、繰返し成膜する時の高い再現性、高融点材料や合金も作れる特徴を有しており、半導体や電子デバイスをはじめ機能性材料に欠かせない金属膜、絶縁膜はもちろん、酸化膜、窒化膜を製作することもできます。 菅製作所は長年に渡り大手真空装置メーカーの協力会社として培ってきた技術と厳しい品質基準を自社ブランドの装置にも適用し、お客様のニーズを反映させた扱いやすく、壊れにくい高品質なスパッタ装置を設計、製造しております。 【スパッタリング法の特徴】 ・基板に衝突する材料の衝突エネルギーが強いため、付着力の大きな薄膜ができる。 |zth| mwr| mkh| rzc| fha| szw| plx| lut| kuy| agw| tda| tao| ust| lbs| zvx| fbv| vhg| fgv| zjs| gpf| hsu| dox| rvh| gkq| otm| xdf| uqa| vdn| mda| rrc| kek| zwq| gfe| bub| tju| tbw| qyr| iyt| hro| qlz| jtj| whc| emr| tjg| rpy| xfv| fko| etm| zzm| cfg|